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分立半导体
IPD65R420CFDATMA2参考图片

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IPD65R420CFDATMA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
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库存：43,721(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥6.1246
15311.5
5,000
¥5.8986
29493
10,000
¥5.6613
56613
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
Rds On-漏源导通电阻
420 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD65R420CFD
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STU2LN60K3
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
参考库存:33038
SSM3J168F,LF
Toshiba
分立半导体
MOSFET LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:14490
SI7454DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 100V, 40 MOHMS@4.5V
1:¥18.1365
10:¥15.0629
100:¥11.6842
500:¥10.2152
1,000:¥8.4524
3,000:¥8.4524
参考库存:36722
IRFP4668PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
1:¥50.4884
10:¥45.6407
25:¥43.4937
100:¥37.7307
参考库存:27349
2SCR552PFRAT100
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SOT-89 3A 200 to 500hFE 30V
1:¥3.6838
10:¥3.0284
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
参考库存:13696

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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