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分立半导体
STGP8M120DF3参考图片

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STGP8M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
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库存:8,183(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.1147
34.1147
10
¥29.041
290.41
100
¥25.1312
2513.12
250
¥23.8204
5955.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP8M120DF3
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm
1:¥39.5726
10:¥33.6514
100:¥29.1992
250:¥27.6624
参考库存:8674
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V General Purp Sw
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥1.01474
500:¥0.86106
2,500:¥0.51528
5,000:查看
参考库存:26561
分立半导体
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
800:¥11.1418
2,400:查看
参考库存:25563
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
1,500:¥8.5315
4,500:查看
参考库存:14980
分立半导体
双向可控硅 TAPE13 TRIAC
1:¥5.989
10:¥4.7686
100:¥3.0736
800:¥2.4634
2,400:¥2.0792
参考库存:25372
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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