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分立半导体
SIHD6N65ET1-GE3参考图片

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SIHD6N65ET1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds E Series DPAK TO-252
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数量单价合计
2,000
¥5.4014
10802.8
4,000
¥5.198
20792
10,000
¥4.9946
49946
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
封装
Reel
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-T50RIA60
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 600 Volt 50 Amp
1:¥249.5718
5:¥238.2831
10:¥230.8251
25:¥212.1575
参考库存:32058
K1200GRP
Littelfuse
分立半导体
高压触发二极管 120V
5,000:¥3.0962
参考库存:32063
VS-81RIA120
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO-83/94 BRA SQ-e3
25:¥354.0742
50:¥343.0115
100:¥331.9488
250:¥309.8234
参考库存:32068
BAS116E6327XT
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Silicon Low Leakage Diode
1:¥1.5368
10:¥1.05994
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:32073
D4810N24T VF
Infineon Technologies
分立半导体
整流器 Rectifier Diode 2400V 4810A
暂无价格
参考库存:32078

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