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产品分类

分立半导体
IPP041N12N3GXK参考图片

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IPP041N12N3GXK

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:48,909(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥26.8149
13407.45
1,000
¥22.5887
22588.7
2,500
¥21.5152
53788
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
211 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
G IPP041N12N3 IPP041N12N3GXKSA1 SP000652746
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 13.3V 8uA 10Ohm
1:¥2.8476
10:¥1.7854
100:¥0.7684
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.45313
参考库存:22099
分立半导体
整流器 Automotive Turbo 2 ultrafast high voltage rectifiers
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
5,000:¥1.11418
参考库存:21911
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1.5A 30V
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
2,000:¥1.02943
10,000:¥0.9605
参考库存:19633
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
5,000:¥0.33787
参考库存:25875
分立半导体
稳压二极管 10V 0.5W Zener
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
5,000:¥0.1695
参考库存:121372
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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