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分立半导体
SIHP14N50D-E3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIHP14N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:51,142(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥18.8258
188.258
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.7577
6378.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
D
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 30 V 100 mA
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:26041
分立半导体
稳压二极管 1N5361 27V 5.0W 28.35 Vz 176mA
1:¥6.4523
10:¥5.2884
100:¥4.407
500:¥3.4013
1,400:¥3.0736
参考库存:8673
分立半导体
桥式整流器 20A 600V
1:¥15.368
10:¥14.1363
100:¥10.9158
500:¥8.0682
参考库存:5405
分立半导体
IGBT 模块 1200V 25A IGBT
1:¥627.0144
5:¥607.6462
10:¥587.826
25:¥568.2318
50:¥560.4687
参考库存:5402
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥357.9162
5:¥347.0908
10:¥336.8643
25:¥315.8915
参考库存:5404
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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