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分立半导体
SIHB23N60E-GE3参考图片

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SIHB23N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥35.5724
35.5724
10
¥31.8095
318.095
100
¥26.2838
2628.38
250
¥23.1311
5782.775
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG204A00R
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥2.034
9,000:¥1.9549
24,000:¥1.8871
45,000:¥1.8306
参考库存:31574
2N1483
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥299.902
250:¥274.0928
参考库存:31579
1N4114URE3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
237:¥33.1994
250:¥29.9676
500:¥26.894
1,000:¥22.6678
参考库存:31584
DRA2124X0L
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.42262
45,000:¥0.3616
参考库存:31589
SML4760A/61
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-SML4760A-E3
1:¥3.4578
10:¥2.3504
100:¥1.5933
500:¥1.2769
1,800:¥0.87575
3,600:查看
参考库存:31594

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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