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分立半导体
PXAC201202FC-V2-R0参考图片

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PXAC201202FC-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥512.6019
25630.095
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
240 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
120 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
2.69 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,189.7092
参考库存:34487
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥7.8422
6,000:¥7.571
9,000:¥6.9947
参考库存:34492
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥784.8415
参考库存:34497
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
100:¥877.8179
参考库存:34502
分立半导体
稳压二极管 47 Volt 20W 6%
12,500:¥4.0341
参考库存:34507
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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