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分立半导体
SIHB33N60E-E3参考图片

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SIHB33N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
54 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
SIHB33N60E
单位重量
1.438 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TS6P07G C2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 6.0 Amp 1000 Volt 150 Amp IFSM
1:¥9.831
10:¥8.9948
100:¥6.9608
500:¥5.1528
参考库存:30855
MBRS1050CT RN
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 50 Volt Dual
1:¥8.0682
10:¥6.9947
25:¥6.3958
100:¥5.5822
800:¥4.0115
参考库存:30860
MBRS15200CT RN
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15A,200V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥10.5316
10:¥9.2999
25:¥8.4524
100:¥7.3563
800:¥5.7065
参考库存:30865
SRS830 RN
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8A,30V, DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.6784
10:¥7.684
25:¥6.9382
100:¥6.0794
800:¥3.7177
2,400:查看
参考库存:30875
SRS16100 RNG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A,100V, DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥10.5316
10:¥9.379
25:¥8.4524
100:¥7.3902
800:¥4.5313
2,400:查看
参考库存:30880

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