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分立半导体
A2V09H400-04NR3参考图片

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A2V09H400-04NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
250
¥782.0052
195501.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.9 dB
输出功率
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4
封装
Reel
工作频率
720 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935337372528
单位重量
3.074 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSB165N15NZ3 G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
1:¥24.5888
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.2099
5,000:¥11.9102
参考库存:24158
MBR120VLSFT3G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A 20V
1:¥2.9945
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92208
10,000:¥0.7458
20,000:查看
参考库存:672735
AUIRLS4030
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET 100V 180A 4.3 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥39.4935
10:¥33.5836
100:¥29.1201
250:¥27.5833
参考库存:16527
BAS321Z
Nexperia
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 BAS321/SOD2/MULTI-REEL 7" Q1/T
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
30,000:¥0.31527
60,000:查看
参考库存:719239
R6020KNZC8
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.8314
250:¥16.9048
参考库存:3421

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    50万现货SKU

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