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分立半导体
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PTVA102001EA-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥1,046.8659
261716.475
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
200 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1600 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2219AL/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
139:¥103.6549
250:¥94.5132
500:¥88.366
1,000:¥81.0662
参考库存:51628
JAN1N5534C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥103.1916
200:¥94.129
500:¥88.0609
1,000:¥80.7611
参考库存:51633
JAN2N3499L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥132.2439
250:¥120.5597
500:¥112.7966
参考库存:51638
JANTX1N3821AUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥137.4645
200:¥126.1758
500:¥120.0964
参考库存:51643
JANTX1N3042B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥91.1345
200:¥83.0663
500:¥77.7666
1,000:¥71.303
参考库存:51648

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