TSM110NB04LCR RLG原装正品_库存数量_PDF手册

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	54 A
Rds On-漏源导通电阻	11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	23 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	68 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	34 S
下降时间	13 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	20 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	13 ns
典型接通延迟时间	1 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MUR260G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 600V 2A UltraFast	1:¥3.2996 10:¥2.5199 100:¥1.3673 1,000:¥1.02943	参考库存:9499
BZX79-B22,113	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT	1:¥1.6159 10:¥1.4012 100:¥0.49946 1,000:¥0.32996 10,000:¥0.22261 20,000:查看	参考库存:35901
APT5010LVRG	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET - MOS5	1:¥194.1001 5:¥186.4952 10:¥179.5005 25:¥164.9009	参考库存:1983
KSB1366GTU	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil	1:¥6.3732 10:¥5.4127 100:¥4.1697 500:¥3.6838	参考库存:9105
MMSZ5226BS-7-F	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 3.3V 200mW	1:¥2.0792 10:¥1.3786 100:¥0.5763 1,000:¥0.40002 3,000:¥0.30736	参考库存:51347