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分立半导体
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CGH40010F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
12.5 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
5.21 mm
工作频率
2 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH40010-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SB360-E3/54
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 60 Volt 120 Amp IFSM
1:¥3.3787
10:¥2.5651
100:¥1.9097
500:¥1.5707
1,400:¥1.2091
参考库存:41773
FDP86363-F085
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET NMOS TO220 80V 2.8 MOHM
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:6000
SPD04P10P G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
1:¥5.8421
10:¥4.9042
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
2,500:¥2.1357
参考库存:13342
M505032
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 SCR MODULE 240VAC 50ADC 600VP
1:¥769.1684
10:¥732.5112
25:¥715.9228
50:¥699.244
参考库存:4319
1SMB5926BT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 11V 3W
1:¥3.4578
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
2,500:¥0.72998
参考库存:39191

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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