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分立半导体
SSM6K211FE,LF参考图片

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SSM6K211FE,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-Signal MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.0397
30.397
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.2317
1231.7
4,000
¥1.05994
4239.76
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
118 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6K
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
8.200 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ETT580N16P60HPSA1
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块
1:¥1,500.527
5:¥1,464.4122
10:¥1,428.0714
25:¥1,408.0139
参考库存:4702
ZVN4306GTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:19574
BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥5.537
10:¥4.6217
100:¥2.9832
1,000:¥2.3843
5,000:¥2.0114
参考库存:28261
BSC020N03LSGATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
1,000:¥5.085
5,000:¥4.8364
参考库存:54133
STW11NM80
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥39.6517
100:¥34.4198
参考库存:7675

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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