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分立半导体
2N7002-7-F参考图片

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2N7002-7-F

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库存:13,530,968(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.3786
1.3786
10
¥1.2656
12.656
100
¥0.44522
44.522
1,000
¥0.29945
299.45
3,000
¥0.23052
691.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
210 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
223 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
540 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
2N7002
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.6 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-EMH61T2R
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:33710
分立半导体
整流器 GEN PURP RECTIFIER 2A, 1000V
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.92999
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:33062
分立半导体
MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0566
4,000:¥2.0566
参考库存:28689
分立半导体
MOSFET 40V NChnl LogicLevel Power Trench MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.9269
100:¥5.3223
500:¥4.6895
3,000:¥3.2883
9,000:查看
参考库存:95131
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:36143
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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