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分立半导体
IRFP4468PBF参考图片

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IRFP4468PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
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库存:10,013(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥58.7826
58.7826
10
¥53.1778
531.778
25
¥50.6353
1265.8825
100
¥44.0248
4402.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
290 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
360 nC
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001554960
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥156.9796
5:¥150.9115
10:¥145.2276
25:¥133.3965
参考库存:3721
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥1.9775
100:¥0.91417
1,000:¥0.69947
8,000:¥0.54579
24,000:查看
参考库存:43693
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - D
1:¥45.5616
10:¥36.5781
25:¥35.9566
100:¥33.3463
参考库存:4415
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,529.1951
2:¥1,492.391
5:¥1,470.5594
10:¥1,449.7448
参考库存:3737
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:55039
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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