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分立半导体
IPB017N06N3 G参考图片

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IPB017N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存:2,413(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.1147
34.1147
10
¥28.9732
289.732
100
¥25.1312
2513.12
250
¥23.8204
5955.1
1,000
¥18.0574
18057.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
275 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
99 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
41 ns
零件号别名
IPB017N06N3GATMA1 IPB17N6N3GXT SP000434404
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8 Amp 100V S chottky Rectifier i
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
5,000:¥1.7402
参考库存:279987
分立半导体
JFET NCH J-FET
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:17754
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 30Vceo 7.0Vebo 50mA 625mW
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.8306
1,000:¥1.3673
参考库存:40566
分立半导体
桥式整流器 3 Phase Bridge 300A 1800V 3600 Vrms
1:¥620.3248
5:¥608.1095
10:¥582.6732
25:¥563.8474
参考库存:2083
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
1:¥1,456.5813
参考库存:2270
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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