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分立半导体
NVD5890NT4G参考图片

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NVD5890NT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI
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库存:11,890(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5205
14.5205
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
2,500
¥6.6444
16611
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
123 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NVD5890N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
16.8 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR Sen SCR 800V .8A 200uA
1:¥5.1528
10:¥3.8081
100:¥2.7459
500:¥2.3956
2,000:¥1.5255
10,000:查看
参考库存:12569
分立半导体
整流器 400V 8A Ultrafast
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.9269
800:¥5.4805
参考库存:8671
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥27.2782
10:¥23.2102
100:¥20.0575
250:¥19.0518
参考库存:5643
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:10765
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS
1:¥13.3679
10:¥11.1418
100:¥8.6106
500:¥7.5145
1,000:¥6.2263
参考库存:3657
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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