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分立半导体
VS-ETF150Y65N参考图片

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VS-ETF150Y65N

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge
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库存：41,023(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥543.3379
543.3379
5
¥532.5803
2662.9015
10
¥510.2967
5102.967
25
¥493.8552
12346.38
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
201 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
600 W
封装 / 箱体
EMIPAK-2B
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
60
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N4134CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥150.6064
200:¥138.2329
500:¥131.5546
参考库存:55163
GC1709-00
Microsemi
分立半导体
变容二极管
100:¥83.2132
250:¥75.9134
500:¥70.9979
1,000:¥65.1558
参考库存:55168
JAN1N4627D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥87.8236
200:¥80.0718
500:¥74.919
1,000:¥68.6927
参考库存:55173
VS-ST180C18C1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 350 Amp 1800 Volt 660 Amp IT(RMS)
12:¥840.9347
36:¥812.8881
60:¥801.7463
108:¥756.9531
参考库存:55178
1N5310-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳流二极管
100:¥130.0178
200:¥118.5596
500:¥110.8756
参考库存:55183

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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