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分立半导体
SI2312CDS-T1-GE3参考图片

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SI2312CDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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库存:181,185(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.9549
195.49
500
¥1.6159
807.95
1,000
¥1.243
1243
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
31.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR模块 Input Modules - AAP DBC
1:¥329.7227
5:¥320.9652
10:¥308.5126
25:¥285.3024
参考库存:46458
分立半导体
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
1:¥48.025
10:¥43.4146
25:¥41.4145
100:¥35.9566
参考库存:8647
分立半导体
整流器 16A 50V 35ns Dual 200 Amp IFSM
1:¥12.7577
10:¥10.5994
100:¥8.2264
500:¥7.1868
800:¥5.9664
参考库存:46465
分立半导体
SCR模块 800 Volt 165 Amp
1:¥479.1765
5:¥470.3399
10:¥450.9717
25:¥436.8354
参考库存:5729
分立半导体
SCR模块 400volt 250amp
1:¥1,148.8371
5:¥1,121.1747
10:¥1,093.3541
25:¥1,078.0652
参考库存:46472
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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