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分立半导体
FDT439N参考图片

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FDT439N

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库存:189,385(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.4296
44.296
100
¥2.8589
285.89
1,000
¥2.2939
2293.9
4,000
¥1.9323
7729.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.3 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.8 mm
长度
6.5 mm
系列
FDT439N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
FDT439N_NL
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥10.9836
10:¥9.1417
25:¥7.6049
100:¥6.9156
2,000:¥4.4635
参考库存:39072
分立半导体
MOSFET Low Side IntelliFET
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
4,000:¥4.6104
参考库存:39077
分立半导体
整流器 RAIL REC-EPI
1:¥7.6049
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
参考库存:29395
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
1:¥4.9946
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
1,500:¥1.7967
参考库存:39084
分立半导体
双向可控硅 4Q TRIAC
1:¥6.7574
10:¥5.7065
100:¥4.3844
500:¥3.8759
参考库存:39089
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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