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分立半导体
SQJ459EP-T1_GE3参考图片

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SQJ459EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥10.5316
10.5316
10
¥9.379
93.79
100
¥7.6727
767.27
500
¥6.0116
3005.8
3,000
¥4.1923
12576.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
88 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT2X51DC120J
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,087.3651
5:¥1,060.5502
10:¥1,034.9557
25:¥997.3832
参考库存:3321
TZ500N12KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 1050A SINGLE
1:¥1,227.5981
5:¥1,198.0938
10:¥1,168.3522
25:¥1,151.9898
参考库存:3138
BZX84C12-T1
Rectron
分立半导体
稳压二极管 12V
1:¥1.1526
10:¥0.84524
100:¥0.61472
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.35369
参考库存:49335
1N6159AUS
Semtech
分立半导体
稳压二极管 MIL1 500 W BIPOLAR TVS, SQUARE:SQUARE
1:¥164.6636
5:¥157.296
10:¥152.3692
25:¥140.007
参考库存:3302
T835-800B
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 8A Snubberless 双向可控硅
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.7065
参考库存:3719

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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