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分立半导体
IPG20N04S4L-07参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPG20N04S4L-07

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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库存:81,299(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0286
3514.3
5,000
¥5.2206
26103
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65 W
配置
Dual
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPG20N04S4L07ATMA1 IPG2N4S4L7XT SP000705484
单位重量
300 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR模块 1200 Volt 27 Amp 420 Amp IFSM
1:¥313.7332
5:¥305.3599
10:¥293.5288
参考库存:2016
分立半导体
MOSFET 500V 16.5A NCH
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:3933
分立半导体
IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT
1:¥38.8042
10:¥33.0412
100:¥28.589
250:¥27.12
参考库存:2780
分立半导体
分立半导体模块 1000 Volt 100 Amp 2115 Amp IFSM
1:¥314.6598
5:¥306.2865
10:¥294.3763
参考库存:2062
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:11914
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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