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分立半导体
CSD16406Q3参考图片

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CSD16406Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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库存:45,690(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3449
534.49
500
¥4.7234
2361.7
2,500
¥3.2996
8249
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16406Q3
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.5 ns
典型接通延迟时间
7.3 ns
单位重量
43.700 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET FET 100V 116.0 MOHM SSOT3
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.4523
3,000:¥4.5087
9,000:查看
参考库存:14376
分立半导体
整流器 DIODE GP 400V 6A DO201AD
1:¥6.6896
10:¥5.1528
100:¥4.4974
250:¥3.9098
1,200:¥2.5877
2,400:查看
参考库存:10278
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 400A 30P/21R
1:¥712.2277
5:¥703.2442
10:¥667.6605
25:¥636.5403
参考库存:1455
分立半导体
桥式整流器 6A 800V
1:¥8.4524
10:¥7.7631
100:¥5.9777
500:¥4.4296
参考库存:6422
分立半导体
桥式整流器 600 V - 25 A
1:¥23.9786
10:¥19.436
50:¥19.2891
100:¥17.515
参考库存:5479
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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