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分立半导体
SSM6J212FE,LF参考图片

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SSM6J212FE,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
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库存:128,843(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
4,000
¥1.11418
4456.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
94 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
14.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6J212
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
36 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,087.3651
5:¥1,060.5502
10:¥1,034.9557
25:¥997.3832
参考库存:3321
分立半导体
分立半导体模块 1200V 1050A SINGLE
1:¥1,227.5981
5:¥1,198.0938
10:¥1,168.3522
25:¥1,151.9898
参考库存:3138
分立半导体
稳压二极管 12V
1:¥1.1526
10:¥0.84524
100:¥0.61472
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.35369
参考库存:49335
分立半导体
稳压二极管 MIL1 500 W BIPOLAR TVS, SQUARE:SQUARE
1:¥164.6636
5:¥157.296
10:¥152.3692
25:¥140.007
参考库存:3302
分立半导体
双向可控硅 8A Snubberless 双向可控硅
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.7065
参考库存:3719
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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