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分立半导体
SSM3K59CTB,L3F参考图片

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SSM3K59CTB,L3F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.3504
23.504
100
¥1.3108
131.08
1,000
¥0.9605
960.5
10,000
¥0.77631
7763.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CST3B-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
1.8 V
Qg-栅极电荷
1.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1000 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.48 mm
长度
1.2 mm
系列
SSM3K59
宽度
0.8 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STF6N95K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.5995
参考库存:16713
IRFB5615PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.78
参考库存:17845
SI7464DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.5205
10:¥12.0684
100:¥9.379
500:¥8.1473
3,000:¥8.1473
参考库存:15182
IRF7316TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
1,000:¥3.3222
4,000:¥3.3222
参考库存:55199
SI4423DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
2,500:¥9.5259
参考库存:44071

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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