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分立半导体
TPWR8004PL,L1Q参考图片

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TPWR8004PL,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
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库存:28,059(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.9675
27.9675
10
¥22.5096
225.096
100
¥20.5208
2052.08
250
¥18.5207
4630.175
5,000
¥12.8368
64184
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSOP Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
800 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
103 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.73 mm
长度
5 mm
系列
TPWR8004PL
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
98 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 200V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr IC
1:¥10.0683
10:¥8.9948
25:¥8.1473
100:¥7.0738
2,500:¥4.068
5,000:查看
参考库存:23849
分立半导体
MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5823
500:¥6.7009
800:¥5.2997
参考库存:6941
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-NOISE AMPLIFIER
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:39763
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥22.6678
10:¥19.2891
100:¥16.6788
250:¥15.8313
500:¥14.2154
800:¥14.2154
参考库存:12840
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥21.8994
10:¥17.5941
100:¥16.0573
250:¥14.4414
参考库存:2842
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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