T2G6000528-Q3原装正品_库存数量_PDF手册

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	650 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	-
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	12.5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
应用	Military Radar, Professional and Military Radio Communications
配置	Single
工作频率	DC to 6 GHz
系列	T2G
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors
零件号别名	1099997

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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BAS85,115	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 200MA	1:¥3.3787 10:¥2.147 100:¥0.92208 1,000:¥0.70738 2,500:¥0.53788	参考库存:221708
VS-8EWX06FNTR-M3	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	整流器 Hyperfast 8A 600V 15ns	1:¥8.0682 10:¥6.6896 100:¥5.1302 500:¥4.407 1,000:¥3.4804 2,000:¥3.4804	参考库存:21220