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分立半导体
2SK3476(TE12L,Q)参考图片

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2SK3476(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥36.8041
368.041
100
¥33.5836
3358.36
250
¥30.2727
7568.175
1,000
¥22.8938
22893.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
11.4 dB
输出功率
7 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3476
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
单位重量
80 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GBU20J
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器
2,500:¥5.0963
5,000:¥4.9155
参考库存:39556
CWDM305P TR13
Central Semiconductor
分立半导体
MOSFET SMD Small Sig Mosfet P-Channel Enh Mode
7,500:¥0.86784
10,000:¥0.81473
25,000:¥0.7458
50,000:¥0.72207
100,000:¥0.69156
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1N5229B BK
Central Semiconductor
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稳压二极管 500mW Zener 4.3Vz 22Ohm 5.0uA 1.0Vr
10,000:¥0.66105
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参考库存:610698
MBR1645HC0
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肖特基二极管与整流器 16A,45V,SINGLE SCHOTTKY RECTIFIER
2,000:¥3.2996
参考库存:39568
CDBDSC10650-G
Comchip Technology
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
1,040:¥17.2099
2,560:¥16.3624
5,040:¥15.7522
参考库存:39573

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    50万现货SKU

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