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分立半导体
SI7145DP-T1-GE3参考图片

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SI7145DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:21,293(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.5941
17.5941
10
¥14.6787
146.787
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9101
4955.05
1,000
¥8.2264
8226.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
413 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
110 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
SI7145DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 6A
1:¥22.2836
100:¥18.5998
500:¥15.9104
1,000:¥13.9103
参考库存:21488
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2
1:¥410.5516
5:¥398.6414
10:¥390.1212
25:¥373.6684
250:¥331.3386
参考库存:1985
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SOD123 40V 1A
1:¥3.2318
10:¥2.147
100:¥1.4577
500:¥1.1978
3,000:¥0.75258
9,000:查看
参考库存:58432
分立半导体
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥10.9158
参考库存:54239
分立半导体
双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:17756
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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