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分立半导体
MG1225H-XN2MM参考图片

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MG1225H-XN2MM

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 模块 1200V 25A IGBT
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数量单价合计
1
¥539.4168
539.4168
5
¥528.8174
2644.087
10
¥506.6807
5066.807
25
¥490.3183
12257.9575
50
¥483.7869
24189.345
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
147 W
封装 / 箱体
Package H
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
系列
MG1225H-XN2MM
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
180 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT03D82-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 82 Volt 600W 10%
25,000:¥1.5368
参考库存:39526
APTGT450SK60G
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥909.0172
参考库存:39531
APTGT50SK170TG
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥478.103
参考库存:39536
PXAC261002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:39541
APTGT300SK60D3G
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥722.7593
参考库存:39546

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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