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分立半导体
D3S070N65F-U参考图片

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D3S070N65F-U

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 70 mOhm 650V
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数量单价合计
1,000
¥16.6788
16678.8
2,500
¥15.8313
39578.25
5,000
¥15.2098
76049
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.8 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
154 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ES3D R7G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.2318
100:¥2.4408
250:¥2.1131
850:¥1.3447
1,700:查看
参考库存:28912
UG06B R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 0,6A,100V,STD. ULTRAFAST RECTIFIER
1:¥4.4522
10:¥3.4578
100:¥2.3843
500:¥1.6498
5,000:¥1.09836
10,000:查看
参考库存:28917
HS3FB R5G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A,300V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥2.9945
100:¥2.0453
500:¥1.1413
850:¥1.02152
参考库存:28922
2A07GHR0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 2A,1000V,STD.GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.5369
100:¥2.2826
1,000:¥0.76049
3,500:¥0.63054
参考库存:28927
HS3JBHR5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.0736
100:¥2.0905
500:¥1.1639
850:¥1.04525
参考库存:28932

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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