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分立半导体
TSM150P03PQ33 RGG参考图片

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TSM150P03PQ33 RGG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -30V, -36A, Single P Channel Power MOSFET
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库存:38,286(价格仅供参考)
数量单价合计
10,000
¥1.5707
15707
20,000
¥1.5142
30284
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
29.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
27.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
19 S
下降时间
14.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59.8 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6388
5,000:¥5.6839
10,000:查看
参考库存:16788
分立半导体
MOSFET 60V 0.115A 0.2W
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.3221
500:¥1.05994
3,000:¥0.68365
6,000:查看
参考库存:2069050
分立半导体
MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V
1:¥1.7628
10:¥1.5368
100:¥0.53788
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
9,000:¥0.23052
参考库存:39662
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥73.3031
10:¥66.3084
25:¥63.2348
100:¥54.8615
3,000:¥40.115
参考库存:16464
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 300A HSOF-8
1:¥52.3303
10:¥47.2566
25:¥45.1096
100:¥39.1093
2,000:¥28.589
参考库存:105031
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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