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分立半导体
TSM150P03PQ33 RGG参考图片

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TSM150P03PQ33 RGG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -30V, -36A, Single P Channel Power MOSFET
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¥1.5707
15707
20,000
¥1.5142
30284
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
29.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
27.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
19 S
下降时间
14.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59.8 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG03C13TR
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暂无价格
参考库存:36577
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MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
500:¥15.368
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50:¥1,465.949
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Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥2,046.2492
参考库存:36594

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