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分立半导体
HGTG5N120BND参考图片

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HGTG5N120BND

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库存:42,277(价格仅供参考)
数量单价合计
450
¥14.4414
6498.63
900
¥12.9837
11685.33
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
21 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG5N120BND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
21 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
21 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG5N120BND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A1400PV
1:¥297.9132
5:¥289.6077
10:¥277.6184
20:¥257.64
参考库存:2475
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.684
参考库存:42476
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60A 45V TrenchMOS
1:¥34.4989
10:¥28.589
100:¥23.5153
250:¥22.826
500:¥20.5208
2,000:¥20.5208
参考库存:7127
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:3714
分立半导体
桥式整流器 6A 100V
1:¥7.684
100:¥6.6896
500:¥5.4918
1,000:¥4.9155
参考库存:10726
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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