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产品分类

分立半导体
SSM6N7002FUTE85LF参考图片

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SSM6N7002FUTE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET SMOS
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
SSM6N7002
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
170 mS
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
72 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
69 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60A exposed top Intg PowIRstage
1:¥61.7771
10:¥55.8672
25:¥53.2456
100:¥46.2622
3,000:¥33.8096
参考库存:42630
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3922
分立半导体
整流器 1.0 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
5,000:¥1.5594
10,000:查看
参考库存:149534
分立半导体
MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
3,000:¥4.7008
9,000:查看
参考库存:18551
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 3A
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.486
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6498
参考库存:199008
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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