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分立半导体
FGL60N100BNTD参考图片

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FGL60N100BNTD

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库存:42,531(价格仅供参考)
数量单价合计
375
¥33.6514
12619.275
750
¥30.1936
22645.2
1,125
¥25.4363
28615.8375
2,625
¥24.2046
63537.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
180 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGL60N100BNTD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
26 mm
长度
20 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
60 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
375
子类别
IGBTs
零件号别名
FGL60N100BNTD_NL
单位重量
6.756 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
2,000:¥2.2035
参考库存:21045
分立半导体
稳压二极管 Vz @Izt 12.11-12.75V Ippm 18.9V Max
4,500:¥0.28476
22,500:¥0.28476
参考库存:41476
分立半导体
整流器 Freds - TO-220-e3
1:¥13.8312
10:¥11.4469
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4297
参考库存:4497
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
2,500:¥4.7686
10,000:查看
参考库存:13804
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
1:¥67.5401
10:¥60.7827
25:¥55.4039
100:¥49.946
参考库存:6761
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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