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分立半导体
PD57006S-E参考图片

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PD57006S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:42,966(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥124.4017
124.4017
10
¥114.4125
1144.125
25
¥109.6552
2741.38
100
¥96.5924
9659.24
250
¥91.8238
22955.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57006-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 12 Amp 100 Volt
1:¥7.7631
10:¥6.3845
100:¥4.9042
500:¥4.2149
1,000:¥3.3222
1,500:¥3.3222
参考库存:74334
分立半导体
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
参考库存:14296
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥167.6694
10:¥162.9008
100:¥149.9962
250:¥143.4648
参考库存:6113
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SiC, SBD 650V 12A DPAK
1:¥38.0358
10:¥32.2728
100:¥27.9675
250:¥26.5889
1,000:¥20.0575
2,000:查看
参考库存:9680
分立半导体
MOSFET MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:12162
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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