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分立半导体
PD57006S-E参考图片

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PD57006S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:42,966(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥124.4017
124.4017
10
¥114.4125
1144.125
25
¥109.6552
2741.38
100
¥96.5924
9659.24
250
¥91.8238
22955.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57006-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60A exposed top Intg PowIRstage
1:¥61.7771
10:¥55.8672
25:¥53.2456
100:¥46.2622
3,000:¥33.8096
参考库存:42630
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3922
分立半导体
整流器 1.0 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
5,000:¥1.5594
10,000:查看
参考库存:149534
分立半导体
MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
3,000:¥4.7008
9,000:查看
参考库存:18551
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 3A
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.486
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6498
参考库存:199008
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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