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分立半导体
TSM60N380CI参考图片

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TSM60N380CI

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 11A, 380mOhm
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数量单价合计
4,000
¥8.9157
35662.8
5,000
¥8.6106
43053
10,000
¥8.3733
83733
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
20.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
C0G TSM60N380CI
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N5539B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥70.2295
112:¥70.2295
200:¥64.5456
500:¥58.8617
1,000:¥51.2568
参考库存:45840
CDLL3023B/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥112.7966
200:¥102.8865
500:¥96.2082
1,000:¥88.2869
参考库存:45845
JANTXV1N748A-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥42.4202
339:¥42.4202
500:¥38.646
1,000:¥33.7305
2,500:¥32.5779
参考库存:45850
JAN1N3045B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥86.8292
200:¥79.1452
500:¥74.0715
1,000:¥67.9243
参考库存:45855
CMH05A(TE12L,Q)
Toshiba
分立半导体
整流器 Switching Diode HED 1A 400V 35ns
暂无价格
参考库存:45860

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    50万现货SKU

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