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分立半导体
IKW50N65F5AXKSA1参考图片

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IKW50N65F5AXKSA1

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库存:49,417(价格仅供参考)
数量单价合计
240
¥43.8779
10530.696
480
¥41.8778
20101.344
720
¥38.194
27499.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.66 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 F5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65F5A SP001187518
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 200V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr IC
1:¥10.0683
10:¥8.9948
25:¥8.1473
100:¥7.0738
2,500:¥4.068
5,000:查看
参考库存:23849
分立半导体
MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5823
500:¥6.7009
800:¥5.2997
参考库存:6941
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-NOISE AMPLIFIER
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:39763
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥22.6678
10:¥19.2891
100:¥16.6788
250:¥15.8313
500:¥14.2154
800:¥14.2154
参考库存:12840
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥21.8994
10:¥17.5941
100:¥16.0573
250:¥14.4414
参考库存:2842
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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