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分立半导体
TK16C60W,S1VQ参考图片

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TK16C60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 130W 1350pF 15.8A
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15.8 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
10.4 mm
长度
10 mm
系列
TK16C60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
2.387 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
100:¥119.328
121:¥119.328
200:¥108.8077
500:¥101.7339
参考库存:52118
分立半导体
稳压二极管
100:¥105.0448
137:¥105.0448
200:¥95.824
500:¥89.5977
1,000:¥82.2188
参考库存:52123
分立半导体
稳压二极管
100:¥126.1758
200:¥115.034
500:¥107.6551
参考库存:52128
分立半导体
桥式整流器 A 1PHFW 14.5A FAST 400V
10:¥879.2078
25:¥867.5236
50:¥838.1662
100:¥791.2938
参考库存:52133
分立半导体
稳压二极管
100:¥98.4343
200:¥89.7446
500:¥83.9138
1,000:¥76.9982
参考库存:52138
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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