RN1116MFV(TPL3)原装正品_库存数量_PDF手册

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.47
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1116MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	7 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
VS-15ETH06STRL-M3	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	整流器 600V 15A IF TO-220AC 120A IFSM	1:¥10.2152 10:¥8.4524 100:¥6.4523 500:¥5.5596 800:¥5.5596	参考库存:11196
BZX84B2V7-HE3-08	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 2.7Volt 0.35Watt 2% AUTO	1:¥2.0792 10:¥1.356 100:¥0.66105 500:¥0.56048 3,000:¥0.33787 6,000:查看	参考库存:78198
BZG03C18-M3-18	Vishay	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)	1:¥3.7629 10:¥2.5764 100:¥1.7402 500:¥1.4012 6,000:¥0.90626 12,000:查看	参考库存:32200
FP50R06W2E3	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 600V 50A	1:¥373.1373 5:¥364.8318 10:¥348.1643 25:¥333.5647	参考库存:3277
DTA114EU3HZGT106	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323	1:¥2.4634 10:¥1.6611 100:¥0.69156 1,000:¥0.47686 3,000:¥0.36838	参考库存:18204