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分立半导体
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MRF134

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
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数量单价合计
1
¥241.8878
241.8878
10
¥223.6835
2236.835
25
¥214.6096
5365.24
50
¥205.547
10277.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
900 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
11 dB
输出功率
5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
211-07-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LQA10N200C
Power Integrations
分立半导体
整流器 200V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr IC
1:¥10.0683
10:¥8.9948
25:¥8.1473
100:¥7.0738
2,500:¥4.068
5,000:查看
参考库存:23849
FQB5N50CTM
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5823
500:¥6.7009
800:¥5.2997
参考库存:6941
2SC5227A-5-TB-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-NOISE AMPLIFIER
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:39763
FDB050AN06A0
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥22.6678
10:¥19.2891
100:¥16.6788
250:¥15.8313
500:¥14.2154
800:¥14.2154
参考库存:12840
APT40DQ60BG
Microsemi
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥21.8994
10:¥17.5941
100:¥16.0573
250:¥14.4414
参考库存:2842

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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