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分立半导体
HFA3101BZ参考图片

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HFA3101BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W
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库存:3,180(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥61.7771
61.7771
10
¥55.8672
558.672
25
¥53.2456
1331.14
100
¥46.2622
4626.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3101
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm (Max)
长度
5 mm (Max)
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm (Max)
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
98
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥48.9516
10:¥41.6518
100:¥36.0357
250:¥34.1938
参考库存:6757
分立半导体
MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:34584
分立半导体
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:8431
分立半导体
MOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
1,500:¥7.2433
4,500:查看
参考库存:58423
分立半导体
IGBT 晶体管 Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.831
2,500:¥7.5371
5,000:查看
参考库存:16425
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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