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分立半导体
CSD25481F4参考图片

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CSD25481F4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm
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库存:85,622(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.4634
24.634
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.73789
2213.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
913 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD25481F4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
3.3 S
下降时间
6.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.9 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
2,000:¥2.9945
参考库存:12264
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast-switching pnp power transistor
1:¥4.3053
10:¥3.5821
100:¥2.1809
1,000:¥1.695
2,000:¥1.4464
10,000:¥1.3447
参考库存:47086
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High gain
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
参考库存:17283
分立半导体
JFET 30V 10mA
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:146660
分立半导体
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4241
800:¥6.1472
参考库存:27722
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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