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分立半导体
MJH11020G参考图片

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MJH11020G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 15A 200V Bipolar Power NPN
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库存:5,685(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.8149
26.8149
10
¥22.826
228.26
100
¥19.7524
1975.24
250
¥18.7467
4686.675
500
¥16.8257
8412.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
最大直流电集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
150 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJH11020
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
15000
高度
12.2 mm
长度
15.2 mm
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 400
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6388
5,000:¥5.6839
10,000:查看
参考库存:16788
分立半导体
MOSFET 60V 0.115A 0.2W
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.3221
500:¥1.05994
3,000:¥0.68365
6,000:查看
参考库存:2069050
分立半导体
MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V
1:¥1.7628
10:¥1.5368
100:¥0.53788
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
9,000:¥0.23052
参考库存:39662
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥73.3031
10:¥66.3084
25:¥63.2348
100:¥54.8615
3,000:¥40.115
参考库存:16464
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 300A HSOF-8
1:¥52.3303
10:¥47.2566
25:¥45.1096
100:¥39.1093
2,000:¥28.589
参考库存:105031
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    4小时快速发货

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