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分立半导体
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2SA1312-BL(TE85L,F

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.96841
96.841
1,000
¥0.7458
745.8
3,000
¥0.61472
1844.16
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-346-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 120 V
集电极—基极电压 VCBO
- 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.3 V
最大直流电集电极电流
- 100 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
系列
2SA1312
直流电流增益 hFE 最大值
700
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
12 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SP001058824
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
2,000:¥2.2035
参考库存:21045
PLZ13A-G3/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Vz @Izt 12.11-12.75V Ippm 18.9V Max
4,500:¥0.28476
22,500:¥0.28476
参考库存:41476
VS-15ETH06HN3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 Freds - TO-220-e3
1:¥13.8312
10:¥11.4469
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4297
参考库存:4497
STD12N65M2
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
2,500:¥4.7686
10,000:查看
参考库存:13804
LSIC2SD120A10
Littelfuse
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
1:¥67.5401
10:¥60.7827
25:¥55.4039
100:¥49.946
参考库存:6761

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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