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分立半导体
CSD17576Q5B参考图片

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CSD17576Q5B

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
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库存:14,566(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.1473
81.473
100
¥6.2489
624.89
500
¥5.5257
2762.85
2,500
¥3.8646
9661.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
53 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17576Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
106.100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 4.3Volt 0.3 Watt 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:34487
分立半导体
稳压二极管 16 Volt 0.3W 2% CA
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.04525
500:¥0.83733
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:34492
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.5W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.83733
500:¥0.71416
3,000:¥0.43053
6,000:查看
参考库存:34497
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
2,500:¥1.05316
参考库存:51660
分立半导体
稳压二极管 8.2 Volt 0.5W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:34504
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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