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分立半导体
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MJD122G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN
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¥4.068
40.68
100
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262.16
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¥2.1018
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大集电极截止电流
10 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD122
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
12000
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
单位重量
500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT300DA170G
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,155.9787
参考库存:48300
T1451N52TOH
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SCR模块 NETZ-THYRISTOR PHASE CONTROL
1:¥11,922.6526
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UD6KB100-BP
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1,500:¥2.4634
3,000:¥2.2261
6,000:¥2.0792
10,500:¥2.0453
25,500:¥2.0001
参考库存:48307
VS-50PFR120W
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 50 Amp 1200 Volt 830 Amp IFSM
1:¥49.0194
10:¥44.1039
50:¥40.1828
100:¥36.273
参考库存:48312
IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LOW POWER PRICE/PERFORM
1:¥21.131
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5204
3,000:¥9.6841
6,000:查看
参考库存:22501

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    50万现货SKU

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