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分立半导体
TISP61089BDR-S参考图片

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TISP61089BDR-S

  • Bourns
  • 新批次
  • SCR Dual P Gate Forward Conducting
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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥8.9948
89.948
100
¥6.9269
692.69
500
¥6.1246
3062.3
2,500
¥4.3844
10961
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Bourns
产品种类
SCR
RoHS
是
系列
TISP61089B
最大转折电流 IBO
6.5 A
额定重复关闭状态电压 VDRM
- 170 V
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）
5 uA
开启状态RMS电流 - It RMS
-
Vf - 正向电压
3 V
栅极触发电压-Vgt
2.5 V
栅极触发电流-Igt
5 mA
保持电流Ih最大值
- 150 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
转折电流 VBO
- 112 V
电流额定值
5 uA
高度
1.55 mm
长度
5 mm
类型
Dual Forward Conducting P-Gate Thyristors
宽度
4 mm
商标
Bourns
合规
UL
不重复通态电流
6.5 A
产品类型
SCRs
工厂包装数量
2500
子类别
Thyristors
商标名
TISP
单位重量
135 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPG20N10S436AATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
5,000:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:78595
FCA76N60N
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SUPREMOS 76A IN TO3P
1:¥116.4917
10:¥107.1127
25:¥102.6605
100:¥90.4452
参考库存:7122
IRFR4104TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥5.8534
2,000:¥5.8534
参考库存:18939
BTA26-600BWRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 25 Amp 600 Volt
1:¥38.7251
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:7836
STF19NM50N
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
1:¥27.5833
10:¥23.4362
100:¥20.3626
250:¥19.2891
参考库存:7558

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    4小时快速发货

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