CSD17307Q5A原装正品_库存数量_PDF手册

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VSONP-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	73 A
Rds On-漏源导通电阻	10.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	900 mV
Vgs - 栅极-源极电压	8 V
Qg-栅极电荷	4 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	3 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	6 mm
系列	CSD17307Q5A
晶体管类型	1 N-Channel
宽度	4.9 mm
商标	Texas Instruments
正向跨导 - 最小值	66 S
开发套件	TPS51123EVM-399, TPS40195EVM-001, TPS51116EVM-001, TPS51125EVM, TPS51220EVM
下降时间	2.6 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	6.7 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	9.3 ns
典型接通延迟时间	4.6 ns
单位重量	100 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
6A40G R0	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 6.0 Amp 400 Volt 250 Amp IFSM	1:¥4.0002 10:¥3.3787 100:¥2.5312 500:¥1.8532 1,000:¥1.3899 2,000:¥1.2882	参考库存:10563
S3JB-TP	Micro Commercial Components (MCC)	分立半导体	PDF数据手册	整流器 Standard 600V 3A	1:¥4.3053 10:¥2.8589 100:¥1.9323 500:¥1.5933 3,000:¥1.06785 6,000:查看	参考库存:9085
1SMA5937 R3	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 1.5W 200mA 33V	1:¥3.842 10:¥2.7685 100:¥1.6159 1,000:¥0.68365 1,800:¥0.59212	参考库存:4817
IRFZ44VZSPBF	Infineon / IR	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC	1:¥15.9104 10:¥13.5261 100:¥10.8367 500:¥9.4468 1,000:¥7.8422	参考库存:33164
6A80G R0	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 6.0 Amp 800 Volt 250 Amp IFSM	1:¥4.0002 10:¥3.3787 100:¥2.5312 500:¥1.8532 1,000:¥1.3899 2,000:¥1.2882	参考库存:13871