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分立半导体
SI7617DN-T1-GE3参考图片

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SI7617DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:162,448(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥3.5256
3525.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
12.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
9 ns, 11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns, 43 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns, 32 ns
典型接通延迟时间
11 ns, 40 ns
零件号别名
SI7617DN-GE3
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR
1:¥246.0462
5:¥234.9722
10:¥227.6724
25:¥209.163
参考库存:1823
分立半导体
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
1,500:¥12.2153
4,500:查看
参考库存:16840
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
2,500:¥3.5708
参考库存:51152
分立半导体
MOSFET PCH 1.8V Power MOSFE
1:¥3.2996
10:¥2.4747
100:¥1.3334
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
9,000:¥0.81473
参考库存:39994
分立半导体
整流器 Hypfst Rect 2A 200V
1:¥4.1471
10:¥2.8476
100:¥1.9323
500:¥1.5481
10,000:¥0.9379
参考库存:64901
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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